高刷新率和高灰阶 要实现高刷新和高灰阶的高密度LED显示屏,从LED芯片角度来看其要求是类似的,因此这里把他们放在一起进行探讨。基于现有LED显示屏对灰度的控制方式, LED显示屏的刷新率和灰阶是关联度很高而又相互制约的两个参数。青岛LED显示屏,济南LED显示屏价格,室内全彩显示屏,山东LED电子显示屏,岳北电子采用非线性校正技术,图象更清晰,层次感更强。电话:0531-58-76-06-71 手机:131-88-93-77-82。 开启和关灭一致 要实现高密度LED显示屏的高灰度和高刷新,不但需要LED芯片有尽可能短的响应时间,还要求LED芯片在短时间点亮的情况下,有较一致的开启电压(Vfin),并且开启电压要尽可能大,还要具有较快且一致的关灭时间。这将有利于消除LED显示屏中的暗亮现象、低亮度和低灰度情况下亮度不均和颜色不均及灰度损失等现象。 LED响应时间 基于现有的LED对灰度和刷新率的控制方式,要在高密度LED显示屏中实现低亮度、高刷新和高灰度,需要LED的响应时间(开启时间+关灭时间)尽可能的短,例如要低于20ns甚至是10ns以下。这对LED外延材料的生长和LED结构设计提出了很高要求,需要在外延生长方面进行科学的全面的优化,并保持MOCVD系统和程式的高度稳定。LED显示屏的灰度控制方法一般是基于PWM方式, 为了看起来没有闪烁感,我们需要使LED显示屏具有较高的刷新率。这将要求驱动芯片的OE的开关时间尽可能快(目前较好的驱动IC较短的OE的开关时间已经能做到20ns以下),同时也就要求LED芯片能在如此短的时间内实现线性的亮度响应。 LED高密度显示屏应用关注度很高,未来大量的应用规模可期,通过LED上中下游产业链的相互协作,共同解决LED高密度屏中的一些问题,提出并形成一些标准,将使LED在大尺寸高密度显示甚至是3D显示领域占据主导地位。以上是笔者对于高密度LED显示屏应用中LED芯片特性的一些要求的理解,由于对LED显示屏的驱动和控制了解有限,难免有不妥之处,在此抛砖引玉,以期共同探讨。 耐正向冲击能力 LED芯片在频繁的电流过冲情况下工作,容易出现异常的光衰减甚至是死灯现象。要解决这个问题,一方面就是LED芯片厂商优化其外延结果和芯片工艺,提升LED芯片的耐脉冲过电流冲击的能力。当驱动芯片的OE时间降低到50ns甚至是20ns以下时,在驱动电流输出的上升沿和下降沿很容易出现突波(或称电流过冲)现象。一方面要从驱动芯片的电路设计着手,尽可能在保证足够小的OE时间的同时,实现规则的脉冲方波电流的输出(这在OE时间降低到20ns甚至是10ns以下时,确实不太容易)。 预计未来高密度显示屏的扫描方式会由目前主流的8扫和16扫,演变为32扫甚至是64扫。更高的扫描比意味着LED芯片将在更多的时间中处于反压的非点亮状态,这对LED芯片的耐反压能力有更高的要求,需要LED芯片具有更高的Vr和更长久的耐反压的能力。高密度LED显示屏采用动态扫描方式,以节省芯片驱动的成本,如4扫、 8扫、 16扫等。随着显示屏密度越来越高,可以预料扫描比将越来越高,以控制LED驱动的成本,及减少单元板上驱动和控制电路排布的压力。 ?